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650 V GaN 전력반도체 (Power Semiconductor) 및 공정서비스 구축

sigetronics 2022-05-26 浏览数 452

시지트로닉스(Sigetronics, Inc.)는 650 V GaN 전력반도체(질화갈륨 전력반도체)를 다년간의 연구개발을 통해 개발하고 관련 공정서비스를 구축하였다.

 

Si 전력반도체보다 전력변환효율이 뛰어나고 대전류 및 고속스위칭이 가능한 GaN 전력반도체는 소형 IT 충전기에 주로 많이 사용되고 있고향후 차세대 전력소자용으로 폭발적인 성장이 기대된다기술 난이도가 높아 전세계적으로 인피니언과 TSMC와 같은 소수의 기업에서 상용화에 진입하여 생산 중이고 시지트로닉스 외 아직까지 국내 제작 가능한 회사는 없다.


시지트로닉스는 GaN 전력반도체 제작을 위해 개발한 기존의 인터커넥션 기술고속 스위칭을 위한 컨덕턴스 저감 기술문턱전압 제어기술, CMOS호환 GaN 공정기술에 추가로 내전압 향상기술 및 전류 절감 감소기술을 개발하여 GaN 전력반도체의 경쟁력을 더욱 크게 확보했다또한 CMOS호환 6인치 공정서비스를 플랫폼으로 구축하여 fabless 업체의 다양한 요구에 대응할 수 있는 기술력도 확보했다.


고효율 전력변환장치에 주로 사용되는 GaN 전력반도체는 실리콘(Si) 전력반도체 보다 밴드갭이동도전류포화밀도가 높아 동작저항(RDSON)이 낮고 동작속도(fc)가 높은 특징을 제공하지만 낮은 내전압으로 그 동안 제한된 용도에 사용되었다본 제품은 개발된 내전압 향상 및 전류절감 감소기술을 적용하여 최대허용전류(Imax)=30 A, 내압(Vmax)>650 V, 동작저항(RDS(ON))<20 mΩ스위칭 특성 (QG)<30 nC, 문턱전압>1.0 V인 전기적 특성을 제공하여 보다 다양한 제품에 적용 가능하게 되었다.


본 650 V GaN 전력반도체는 소형 IT기기의 (무선)충전기뿐만 아니라 가전 및 태양전지용 인버터 및 컨버터전기자동차 충전인프라용으로 적용 및 제작이 확대되어 소형화와 고효율화에 기여할 것으로 기대되고, CMOS호환 GaN 6인치 공정서비스는 다양한 고객의 요구에 최적인 사양으로 제공될 예정이다.




작성일 : 2022-02-09

시지트로닉스