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신제품

고속-고출력 스위칭용 전력반도체 MCT(MOS Controlled Thyristor) 소자 개발

관리자 2022-05-19 조회수 382

시지트로닉스(Sigetronics)는 한국전자통신연구원의 기술이전 프로그램을 활용하여 고속-고출력 스위칭용 전력반도체인 MCT(MOS Controlled Thyristor) 소자를 개발하고 Line-up 상용화를 위한 국책사업을 진행하기로 하였다. 동 제품은 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 게이트로 구동하는 사이리스터로 대전류 밀도에서 낮은 전압손실과 높은 펄스전류 및 di/dt 특성에 의한 초고속 스위칭 성능으로 민수용 및 군수용 펄스파워 응용에 탁월한 성능을 제공한다.


장기간의 연구개발을 통하여 고전압 termination, 3중 확산기술, 신소자구 조 및 제조방법, 저저항 패키징과 같은 핵심기술과 관련한 지적재산권을 기반으로 하여 독창적 고유기술로 제작된다. 주요 성능으로 순방향 항복전압 >1.6kV, 누설전류 <0.1uA, 턴온/오프 전압 < +5V와 >-5V, 피크전류 >1kA, 펄스전류 상승기울기 10kA/us의 사양을 제공한다. 동급 제품은 세계적으로 미국에서 유일하게 독점으로 EL (Export Liscence) 규정하에 보급해왔지만 이제 한국의 내부기술로 국산화 되었다. 완제품은 칩 단위 내지는 패키지로 판매되는데 응용에 따라 TO247내지 SMD 형태로 제공될 수 있다. 


본 제품의 응용분야는 ESAD(Electronic Safe & Arm Device), 고전압펄스 전류전송, 전동차/전기항공기, UPS의 전원시스템 및 입자가속기, 플라즈마 생성장치, 친환경 수처리/가스처리와 같은 펄스파워 분야가 있다. MCT의 스위칭 속도는 GaN 전력반도체 대비 부족하지만 대전류 제어와 안정성(Robustness)에 있어서 비교 우위의 성능을 제공한다. 


본 MCT 소자와  향후 전류(>3kA)와 전압(>2.5kV)을 다양화 한 Line-up을 추진한다. ESAD 관련해 MCT와 더불어 LiDAR용 APD(avalanche Photodiode), IR(Infrared) 및 UV(Ultra-violet) Photodiode를 포함해서 2025년에 1000억원 대의 시장규모가 예상된다.



작성일 : 2022-05-12

시지트로닉스