[이데일리 신하연 기자] 차세대 특화반도체 전문기업 시지트로닉스(429270)가 첨단 방산 시스템에 적용되는 고출력 RF 반도체 개발에 성공하며 방산용 반도체 시장 공략에 나선다.

시지트로닉스는 K-방산 무기체계의 핵심 부품인 20W급 X-Band 전력증폭기(GaN PA MMIC) 시제품 개발과 성능 검증을 완료했다고 10일 밝혔다.

시지트로닉스 X-Band GaN MMIC 전력증폭기 웨이퍼. (사진=시지트로닉스)

회사가 개발한 제품은 최신 전투기와 함정 등에 탑재되는 AESA(능동위상배열) 레이다 송신부에 적용되는 핵심 반도체다. 레이다의 탐지 거리와 정확도를 좌우하는 부품으로, 최근 글로벌 방산 시장에서는 고출력과 내열성이 뛰어난 GaN-on-SiC 기반 반도체 수요가 빠르게 확대되고 있다.

시지트로닉스는 이번 개발을 통해 20W급 고출력을 구현하는 동시에 37dB 이상의 이득 특성과 최대 39.2%의 전력효율을 확보했다고 설명했다. 작은 칩 크기에서 높은 출력과 효율을 구현함으로써 레이다 시스템의 소형화와 성능 향상에 기여할 수 있다는 평가다.

이번 기술은 한국전자통신연구원(ETRI)의 기술 이전을 기반으로 시지트로닉스의 RF 설계 및 공정 기술을 접목해 개발됐다. 관련 연구 결과는 세계적인 학술지 IEEE에 투고돼 현재 심사가 진행 중이며, 회사는 이를 통해 글로벌 기술 경쟁력도 입증할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

해당 제품은 AESA 레이다뿐 아니라 대드론(Anti-Drone) 방어 시스템, 전자전 장비, 항공·함정용 감시 레이다 등 다양한 첨단 방산 장비에 적용이 가능하다. 회사는 향후 출력 성능을 높인 후속 제품과 Ku-Band, Ka-Band 등 차세대 RF 반도체 라인업으로 개발 범위를 확대할 계획이다.

이번 성과를 계기로 시지트로닉스는 기존 전자기기 보호소자와 센서 사업을 넘어 방산용 특화 반도체 분야로 사업 영역을 넓히고, 국내 방산 반도체 자립화와 글로벌 시장 진출에도 속도를 낸다는 전략이다.

시지트로닉스 관계자는 “이번 X-Band GaN MMIC는 회사의 GaN 공정기술과 RF 설계 역량을 집약한 첫 방산 분야 성과”라며 “고출력 RF 반도체 제품군을 지속 확대하고 양산 체제 구축과 글로벌 방산 시장 진출을 적극 추진하겠다”고 말했다.