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공지사항

한국나노기술원 화합물반도체 포럼 개최

관리자 2024-07-15 조회수 175

한국나노기술원에서 2024년 7월 12일 화합물반도체의 생태계 고도화 및 발전방안 모색을 위하여 화합물반도체 포럼이 개최되었다. 과학기술정통부와 한국나노기술원(원장 서광석)이 주관하였으며 당초 50명의 참여를 기획했으나 산-학-연 및 정부기관에서 70여명 이상이 참가하여 화합물반도체에 대한 높아진 관심을 보였다. 



 

특히 GaN Power와 RF에 대한 시장규모가 급격한 상승세를 보이면서 2024년에 5조원대에서 2030년대에 10조원대로 예상된다. 종래의 GaAs 계열은 이미 성숙하였고 오히려 전력이 높은 RF 시장은 GaN에게 넘겨야 하는 사정이고, SiC 계열은 수 kV 이상의 고전압 Power 응용에 한정되는 상황으로 인식된다. 반면에 GaN 계열은 집적화 및 MHz에 달하는 스위칭 동작의 장점으로 수 십 V에서 kV대까지 Power 반도체의 주력될 것으로 보고 있다. 


세계적으로 미국(Global Foundry), 대만(TSMC), 유럽(Infineon)의 주요 Power 반도체 기업들이 6인치 및 8인치 GaN Power 파운드리 및 IDM 사업을 적극 펼쳐 앞서가고 있다. 이러한 동향에 대응하여 국내에서는 최근에서 삼성, DB, Key Foundry 등이 8인치 라인구축에 대한 의지를 표명하여 2025년부터 가시화가 예상되며, 유일하게 시지트로닉스(Sigetronics)는 6인치 M-FAB 라인을 이용한 시제품 개발에 이어 사업화를 추진하고 있다.


또한 한국전자통신연구원은 4인치의 GaN 라인에서 RFIC 기술을 개발하여 아직은 제한한 수준이지만 MPW 파운드리 서비스를 제공하여 기술발전을 주도하고 있으며, 한국나노기술원은 에피기술과 GaN 공정기술에 대한 프로젝트를 주관하여 산업체의 기술개발 및 장비활용을 지원하는 역할을 수행하고 있다. 


포럼에서 여러 발전 방안이 제시되었는데, 그 중에는 화합물반도체 협의체를 구성할 필요성, 인력양성에 대한 산업체와 교육계의 협력, 장비활용에 대한 공개 범위확대 및 서비스 기술내용의 고도화에 대해 공감대를 표명하였다. 외국의 발전상황에 비해 국내에 화합물반도체의 저변은 매우 빈약하므로 국가의 전략수립과 적극적 지원이 필요하며, 특히 한국이 고도산업 사회로 진입하기 위해서 국방이나 우주와 같은 고부가가치 특수사업에 집중할 필요성이 제시되었다. 대부분의 회로설계, 패키징, 모듈과 관련한 기술은 이미 확보되어 있는데 반하여 가장 기본이며 중요한 에피기술 및 공정기술은 매우 부족하여 산업경쟁력을 갖추기 위해서 우선적으로 집중해야 한다는 점을 한국전자통신연구원의 강동민 팀장은 강조하였다.


시지트로닉스에서는 조덕호 대표와 김종원 이사 등이 참석하여 6인치 에피 및 공정기술에 집중하는 회사의 발전방향과 roadmap이 국내 GaN Power와 RF 산업을 견인하기 위한 적확성을 검토하였다. 


출처 : 한국나노기술원