시지트로닉스의 주가가 주식시장에서 강세를 보이고 있다. 삼성전자가 차세대 'GaN 전력반도체' 초도생산 준비를 진행하고 있다는 소식이 영향을 주는 것으로 풀이된다.

시지트로닉스는 한국나노기술원과 'GaN 전력소자' 연구과제를 공동으로 수행 중에 있으며, 지난해 전력 반도체 제조용 6인치 GaN on Si 에피소재 기판을 제공해 고효율 전력변환 시스템 설계를 간소화하는 인핸스먼트 모드(E-mode) 전력 반도체 소자를 최초로 구현했다.

2일 주식시장과 반도체업계에 따르면 삼성전자가 GaN(질화갈륨) 파운드리 시장 진출을 위한 설비투자를 올해 2분기 진행했다. 삼성전자가 도입한 장비 규모는 '초도 생산'을 위한 최소한의 준비를 진행한 것으로 관측된다. 대규모 양산 투자는 향후 고객사 확보와 시장 성장세에 따라 윤곽이 드러날 전망이다.

GaN은 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 증가하고 있다.

삼성전자 역시 GaN 전력반도체 산업의 성장성에 주목해 시장 진출을 추진해왔다. 지난해 6월 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서는 "컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작하겠다"고 공식 발표한 바 있다.

이에 따라 삼성전자는 올해 2분기 기흥 공장에 독일 엑시트론의 유기금속화학증착(MOCVD) 장비를 도입했다. 기흥은 삼성전자의 8인치 파운드리 양산을 담당하는 곳으로, 현재 GaN 전력반도체 공정은 8인치가 주류를 이루고 있다. 삼성전자가 GaN 연구개발(R&D)을 위해 기투자한 설비도 이곳에 위치해 있다.

현재 GaN 웨이퍼용 MOCVD 장비는 엑시트론, 미국 비코 두 기업이 사실상 독점 중이다. 특히 엑시트론의 점유율이 압도적인 상황으로, 삼성전자는 지난해 펠릭스 그라베르트 엑시트론 최고경영자(CEO)와 만나 장비 공급을 논의하기도 했다. 당시 거론된 투자 규모만 30~40대 수준이었던 것으로 전해졌다.

반도체 업계는 "삼성전자는 이미 기흥에 GaN 관련 연구개발 설비를 투자했던 상황으로, 올해 중반에도 소량 장비를 도입했다"고 전했다.

이러한 소식이 전해지며 한국나노기술원과 'GaN 전력소자' 연구과제를 공동으로 수행 중에 있는 시지트로닉스가 주목을 받는 모습이다. 시지트로닉스는 한국나노기술원과 'GaN 전력소자' 연구과제를 공동으로 수행 중에 있다. 지난해에는 전력 반도체 제조용 6인치 GaN on Si 에피소재 기판을 제공해 고효율 전력변환 시스템 설계를 간소화하는 인핸스먼트 모드(E-mode) 전력 반도체 소자를 최초로 구현하는 성과를 거둔 것으로 알려지면서 투자자들의 관심이 몰린 것으로 풀이된다.

특히 전력반도체가 전 세계에서 큰주목을 받는 상황에서 삼성전자가 초도생산을 준비한다는 소식이 전해지며 GaN 전력반도체 소자를 최초로 구현한 시지트로닉스에 투자자들의 매수세가 강하게 작용하는 모습이다.

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이정민 기자 press@financialpost.co.kr

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