시지트로닉스 로고.
특화반도체 소자 전문기업 시지트로닉스는 화합물반도체 양산에 본격 돌입하며 센서 사업 강화에 나섰다고 20일 밝혔다.
지난 2023년 코스닥 상장 이후 2년간 지속된 투자와 기술개발의 결실이다.
시지트로닉스는 최근 3·4인치급 화합물반도체 생산라인을 구축하고 갈륨비소(GaAs) 기반 적외선 센서의 시제품 양산을 개시했다. 9~10월부터는 월 4000매 규모로 양산라인을 본격 가동할 예정이다. 2026년까지 생산능력을 월 6000매 이상으로 생산 규모를 증대하고 제품라인업을 확대할 계획이다.
현재 중국 대형 조립업체 EL사를 통해 시생산을 시작했다. 향후 3~4개월 내 양산 규모를 점차 늘릴 예정이며 일본 대기업 T사 등과의 협력으로 해외 시장 진출에도 박차를 가하고 있다.
화합물반도체는 GaAs뿐 아니라 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN), 산화갈륨(Ga₂O₃) 등을 포함한다. 실리콘 반도체로 구현이 어려운 고속·고온·고전압·광소자 분야에서 핵심 소재로 주목받고 있으며 애벌런치 포토다이오드(APD)·레이저 다이오드(LD)·발광다이오드(LED) 등 광소자, 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)·이종접합 전계효과 트랜지스터HFET)·절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 등 전자소자 제조에도 필수적으로 사용한다.
지난해 시장조사기관 글로벌마켓인사이트 조사에 따르면 화합물반도체 시장은 연평균 10.9% 성장세를 보이고 2032년 약 1120억 달러 규모에 이를 것으로 전망된다. 현재는 반도체 시장의 8% 수준이지만, 2033년에는 점유율 10%를 넘을 것으로 예상된다.
시지트로닉스는 GaN HFET·SiC 금속산화막반도체 전계효과 트랜지스터MOSFET)·Ga₂O₃ MOSFET 등 650V~㎸급 전력반도체뿐 아니라 에스-밴드(S-band·3.5㎓), 엑스-밴드(X-band·10㎓)급 고주파(RF) 전력증폭기용 HEMT 소자 개발도 진행 중이다. 기존 3·4인치 라인을 기반으로 센서 사업을 안정화한 뒤 6인치 M-FAB에서 파워·RF 중심 화합물반도체 양산을 본격화한다는 전략이다.
이 회사는 3·4·6인치급 실리콘 및 다양한 화합물반도체 기반의 소자 제조와 파운드리 공정 서비스를 고도화하고 있다. 정전기(ESD)·센서·전력(Power)·RF 소자 기술을 바탕으로 독자적인 설계자산(IP) 플랫폼을 구축, 국가 특화반도체 경쟁력 강화는 물론 글로벌 대표 기업으로의 도약을 추진하고 있다.
완주=김한식 기자 hskim@etnews.com