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시지트로닉스, 화합물반도체 국산화 본격화 방침

관리자 2025-10-24 조회수 79

[이데일리 권오석 기자] 화합물반도체 전문기업 시지트로닉스(429270)가 ‘GaAs’(갈륨비소)와 ‘GaN’(질화갈륨) 기반의 전력소자 및 고주파소자 사업화를 본격화한다고 22일 밝혔다. 회사는 그동안 자체 M-FAB을 중심으로 정전기방호소자와 센서 사업을 성장시켜 왔으며, 이번 사업 확대를 통해 국내 화합물반도체 기술자립과 국산화 기반 확립을 추진한다.


화합물반도체는 InP(인듐 인화물), GaAs(갈륨비소), GaN(질화갈륨), SiC(탄화규소), Ga₂O₃(산화갈륨) 등 다양한 소재로 구성되며 광소자·전력소자·RF소자 등으로 응용된다. 이는 △센서 △광통신 △무선통신 △전력제어 △레이더 등 다양한 산업 분야에 활용되며 고온·고전압·고주파·광전자 동작 등 실리콘 반도체로는 구현할 수 없는 고성능 특성을 지니고 있다.


최근 양자컴퓨팅, 인공지능(AI), 자율주행, 로봇, 우주항공 등 첨단산업이 빠르게 발전하면서 화합물반도체의 수요가 폭발적으로 증가하고 있다. 이러한 산업적 중요성으로 인해 각국은 화합물반도체를 전략기술 및 안보 핵심산업으로 분류하고 있으며, 수출통제 강화와 기술자립화 경쟁을 가속화하고 있다. 이러한 배경으로는 화합물반도체의 △수발광 동작 △고온 동작 △고전압 동작 △고주파 동작과 같이 기존 실리콘 반도체가 불가능한 성능으로 시스템을 실현하기 때문이다.


회사 관계자는 “M-FAB 운영 경험과 축적된 소자 기술력을 기반으로 철저하게 준비된 사업화 과정을 통해 화합물반도체 국산화의 성공 모델을 만들겠다”며 “단계적 투자와 기술 내재화를 통해 글로벌 경쟁력을 확보하고, 향후 한국 화합물반도체 생태계의 중심 기업으로 성장할 것”이라고 했다.